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杭州高裕電子科技股份有限公司

產(chǎn)品展示

Product Demonstration

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IGBT模塊高溫反偏老化測(cè)試系統(tǒng)(電子開(kāi)關(guān)保護(hù))

符合標(biāo)準(zhǔn):

IEC60749 、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標(biāo)準(zhǔn)。

適用范圍:

適用于各種封裝形式的IGBT模塊、二極管模塊、整流橋模塊、晶閘管模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)。

技術(shù)特點(diǎn):

可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)的結(jié)溫TJ。

可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)上、下橋臂切換測(cè)試。

每個(gè)回路漏電流超上限電子開(kāi)關(guān)斷電保護(hù)。

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)試驗(yàn)器件的漏電流。

全過(guò)程試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存于硬盤(pán)中,可輸出Excel試驗(yàn)報(bào)表和繪制全過(guò)程漏電流IR變化曲線。


技術(shù)性能

表格 p20.png

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